- напряжение обратного пробоя
- reverse breakdown voltage
Русско-английский словарь по микроэлектронике. 2013.
напряжение обратного пробоя
Look at other dictionaries:
напряжение пробоя полупроводникового излучателя — напряжение пробоя Uпроб U(BR) Значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение. [ГОСТ 27299 87] Тематики полупроводниковые приборы Обобщающие… … Справочник технического переводчика
напряжение — 3.10 напряжение: Отношение растягивающего усилия к площади поперечного сечения звена при его номинальных размерах. Источник: ГОСТ 30188 97: Цепи грузоподъемные калиброванные высокопрочные. Технические условия … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Напряжение пробоя полупроводникового излучателя — 21. Напряжение пробоя полупроводникового излучателя Напряжение пробоя Breakdown voltage Uпроб Значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Напряжение пробоя полупроводникового излучателя — 1. Значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение Употребляется в документе: ГОСТ 27299 87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины,… … Телекоммуникационный словарь
пробивное напряжение — 2.2 пробивное напряжение: Максимальное значение напряжения, необходимого для пробоя искрового промежутка свечи при заданных условиях Источник: ГОСТ 28772 90: Системы зажигания автомобильных двигателей. Термины и определения … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Тиристор — Обозначение на схемах Тиристор полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p n переходами и имеющий два устой … Википедия
Динистор — Обозначение на схемах Тиристор полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с четырёхслойной структурой р n p n типа, обладающий в прямом направлении двумя устойчивыми состояниями состоянием низкой проводимости… … Википедия
электронно-дырочный переход — то же, что р n переход. * * * ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД (p n переход, n p переход), переходная область полупроводника (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ), в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от… … Энциклопедический словарь
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ — электронные компоненты, изготовленные в основном из полупроводниковых материалов (см. ниже). К числу таких компонентов относятся транзисторы, интегральные схемы, оптоэлектронные приборы, сверхвысокочастотные (СВЧ) приборы и выпрямители.… … Энциклопедия Кольера
P — n-переход — (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… … Википедия
Р — n-переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
